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DMTH8003SPS-13

更新時間:2025-06-04 00:03:25

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DMTH8003SPS-13 概述

DMTH8003SPS-13是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用超小型的PowerDI5封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓（VDS）為-30V，在室溫下最大連續(xù)漏極電流（ID）可達-8A。它適用于負載開關、電源管理以及電池保護等應用中。在實際應用中，由于其低柵極電荷（Qg）特性，可以實現(xiàn)高效快速的開關操作，適合用于同步整流電路。當用作負載開關時，建議結合適當?shù)臇艠O驅動電路以確保MOSFET完全開啟和關閉，避免因部分導通導致的過熱現(xiàn)象。對于電池保護電路，需要注意選擇合適的外圍元件來監(jiān)測電池狀態(tài)并控制MOSFET的通斷。

DMTH8003SPS-13 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,494現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
124.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8952 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerDI5060-8（K 類）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

DMTH8003SPS-13推薦型號

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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