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DMPH4015SSS-13

更新時間:2025-06-08 05:52:47

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DMPH4015SSS-13 概述

DMPH4015SSS-13是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適用于需要高效能和緊湊設計的應用場景。其最大漏源電壓為-40V，可處理相對較高的功率密度，適合于各種電源管理應用，如負載開關、電源轉(zhuǎn)換器和電池保護電路等。在實際應用中，由于其低導通電阻特性，可以有效減少功耗，提高系統(tǒng)整體效率。設計時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉MOSFET。例如，在典型5V邏輯電平下工作時，應確認柵極電壓足以使MOSFET處于飽和區(qū)。此外，在布局PCB時，盡量縮短源極到柵極之間的走線長度，以減少寄生電感影響，從而提升開關速度并降低噪聲干擾。

DMPH4015SSS-13 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
9,880現(xiàn)貨5,000Factory
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11.4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 9.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4234 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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DMPH4015SSS-13推薦型號

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