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DMPH4015SK3Q-13

更新時間:2025-06-11 17:40:44

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DMPH4015SK3Q-13 概述

DMPH4015SK3Q-13是Diodes Incorporated生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用先進的硅技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓為-30V，適合在需要負電壓操作的電路中使用。典型應用場景包括負載開關、電池保護電路以及便攜式設備中的電源管理模塊。在實際應用中，此MOSFET可以用來替代傳統(tǒng)的機械繼電器，實現(xiàn)更小尺寸和更高可靠性的設計。例如，在手機或平板電腦等移動設備中，用于控制背光顯示的供電路徑。為了確保最佳性能，設計時應注意保持柵極驅動信號的完整性，并避免超過最大額定值。此外，建議參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊以獲取正確的PCB布局指南，從而減少電磁干擾并提高熱穩(wěn)定性。

DMPH4015SK3Q-13 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
14A（Ta），45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 9.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4234 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
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封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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DMPH4015SK3Q-13推薦型號

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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