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DMP6110SSS-13

更新時間:2025-05-20 00:19:36

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DMP6110SSS-13 概述

DMP6110SSS-13是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用超小型的SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點。該器件最大漏源電壓為-30V，適用于需要高效功率管理的應(yīng)用場景。典型應(yīng)用場景包括便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)、電池管理電路以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等。在智能手機和平板電腦等移動設(shè)備中，這種MOSFET可用于延長電池續(xù)航時間并減少發(fā)熱。使用時應(yīng)注意控制柵極驅(qū)動電壓以確?？煽抗ぷ?。建議在PCB設(shè)計中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧缭黾鱼~箔面積或添加散熱片。此外，在進行PCB布線時應(yīng)盡量減小寄生電感，以避免影響開關(guān)性能。對于高頻應(yīng)用，需特別注意合理布局以減少電磁干擾。

DMP6110SSS-13 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
69,359現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4.5A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
110 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1030 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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