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DMN65D8LDW-7

更新時間:2025-05-18 23:53:35

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DMN65D8LDW-7 概述

DMN65D8LDW-7是Diodes公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用DFN1006封裝，具有超小尺寸特點，適合高密度電路板設計。其低導通電阻和柵極電荷特性有助于降低開關損耗，提升效率。該型號適用于便攜式設備如智能手機和平板電腦中的電源管理電路、負載開關及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應用場合。在使用時應注意遵循正確的焊接工藝以避免損壞器件，建議在布局布線時盡量縮短源極與漏極之間的走線長度，減少寄生電感對性能的影響。如果用于高頻開關電路，需關注其最大工作頻率限制并合理設置柵極驅(qū)動電阻值。

DMN65D8LDW-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
180mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 歐姆 @ 115mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.87nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
22pF @ 25V
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN65D8LDW-7DITR

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DMN601DWK
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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