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DMN62D0UW-7

更新時間:2025-07-15 08:58:23

供應商
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說明
詢價

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DMN62D0UW-7 概述

DMN62D0UW-7是一款由Diodes Incorporated生產的P溝道MOSFET。該器件采用超小型的DFN1010封裝，非常適合對空間要求嚴格的便攜式設備應用。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，在室溫下連續(xù)漏極電流(ID)可達-3.1A。這款MOSFET具有低導通電阻(RDS(on))特性，可以有效降低功耗并提高效率。它廣泛應用于負載開關、電源管理以及電池保護電路中。在設計時需要注意適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定工作，特別是在較高功率應用場景下。對于需要高效能和緊湊尺寸的設計，如智能手機和平板電腦等消費類電子產品，DMN62D0UW-7是一個理想的選擇。

DMN62D0UW-7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
144現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
340mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2 歐姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-323
封裝/外殼
SC-70，SOT-323

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廣東微爾科技有限公司

DMN62D0UW-7推薦型號

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DMN601DMK
DMN601DWK
DMN601DWK-7
DMN601K
DMN601K-7
DMN601K-7-F
DMN601TK
D15XB60

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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