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DMN62D0SFD-7

更新時間:2025-05-26 05:05:11

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DMN62D0SFD-7 概述

DMN62D0SFD-7是Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET，采用DFN3x3封裝。該MOSFET具有低導通電阻RDS(on)，在4.5V柵極電壓下典型值為16mΩ，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓（VDS）為20V，連續(xù)漏極電流（ID）可達3.8A。由于其緊湊的封裝和優(yōu)異的電氣特性，非常適合用于電池管理、負載開關(guān)以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等便攜式設備中。在實際應用時，需注意PCB布局以確保良好的散熱效果，并遵循制造商推薦的驅(qū)動電路設計，防止因過沖電壓造成器件損壞。

DMN62D0SFD-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
540mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.87nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
30.2pF @ 25V
功率 - 最大
430mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-UDFN
供應商設備封裝
3-X1DFN1212
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN62D0SFD-7DITR

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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