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DMN6068LK3Q-13

更新時間:2025-05-18 03:18:33

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

深圳市佳麗達電子有限公司
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深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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DMN6068LK3Q-13 概述

DMN6068LK3Q-13是由Diodes Incorporated生產的一款P溝道MOSFET。該器件采用DFN333封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高密度電路板設計。其最大漏源電壓（VDS）為-60V，連續(xù)漏極電流（ID）可達-15A，適合用于電池管理、負載開關、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用中。由于其優(yōu)異的熱性能和緊湊的封裝尺寸，特別適合在空間受限的情況下使用。此外，該MOSFET還具備較高的峰值電流能力和較低的柵極電荷，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議注意散熱設計以確保最佳性能。

DMN6068LK3Q-13 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
68 毫歐 @ 8.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
502 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
-
封裝/外殼
-

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廣東微爾科技有限公司

DMN6068LK3Q-13推薦型號

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DMN601DMK
DMN601DWK
DMN601DWK-7
DMN601K
DMN601K-7
DMN601K-7-F
DMN601TK
DS3231SN

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