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DMN3053L-7

更新時間:2025-06-01 18:13:56

供應商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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場效應管(MOSFET)N溝道 30V 4A類型N溝道漏源電壓

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只做原裝正品，假一罰十，大量現(xiàn)貨，特價銷售

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀電子有限公司
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21430
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DMN3053L-7 概述

DMN3053L-7是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用D-PAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于多種功率管理應用。其典型應用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關以及電池充電電路等便攜式設備中。由于其小尺寸和高效能特點，在空間受限的設計中表現(xiàn)尤為出色。在電路設計時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓以確保最佳性能，并且在高頻率應用場景下需考慮適當?shù)腜CB布局以減小寄生效應影響。對于需要緊湊且高效電源解決方案的設計者來說，這款MOSFET是一個理想的選擇。

DMN3053L-7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
28,038現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
45 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
676 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
760mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

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