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DMN3051LDM-7

更新時間:2025-07-04 08:45:27

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DMN3051LDM-7 概述

DMN3051LDM-7是Diodes公司生產的一款N溝道MOSFET。它采用DFN2x2封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為36mΩ，適用于高效直流-直流轉換器和負載開關等應用。由于其小尺寸封裝，特別適合空間受限的便攜式設備如智能手機和平板電腦中的電源管理電路。在實際應用中，需注意驅動電壓要滿足開啟要求以確保低導通損耗，且布線時盡量減小寄生電感影響高頻性能。設計電路時可參考其。

DMN3051LDM-7 規(guī)格參數

制造商
Diodes Inc.
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
4 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
38 mOhms
配置
Single Quad Drain
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-26-6
封裝
Reel
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
900 mW
工廠包裝數量
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