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DMN3024SFG-7

更新時間:2025-05-24 23:55:37

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DMN3024SFG-7 概述

DMN3024SFG-7是Diodes Incorporated公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流可達4.2A，非常適合于負載開關、電源管理以及便攜式設備中的DC-DC轉換器等場景。封裝形式為小型化的TSOT23-3，有助于節(jié)省電路板空間并提高設計靈活性。在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且注意散熱設計以維持長期可靠性。對于需要緊湊尺寸和高效率的應用，如智能手機和平板電腦的電源管理系統(tǒng)，這款MOSFET是一個理想選擇。

DMN3024SFG-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
478.9pF @ 15V
功率 - 最大
890mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerWDFN
供應商設備封裝
PowerDI3333-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN3024SFG-7DITR

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