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DMN24H11DS-7

更新時間:2025-05-28 14:19:35

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深圳市星宇佳科技有限公司
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DMN24H11DS-7 概述

DMN24H11DS-7是由Diodes Incorporated生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DFN2020封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高密度表面貼裝應用。其最大漏源電壓為20V，適合于負載切換、電源管理以及電池供電設備等應用場景。由于其緊湊的封裝設計和良好的電氣性能，常被用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設備中作為高效能功率控制元件。在實際應用時，需注意遵循制造商推薦的PCB布局規(guī)則以確保最佳散熱效果，并避免超過額定電壓電流值以防損壞器件。

DMN24H11DS-7 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
240 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
270mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 歐姆 @ 300mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
3.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
76.8 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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