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DMN2112SN-7

更新時間:2025-06-17 15:50:19

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DMN2112SN-7 概述

DMN2112SN-7是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的雙N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于各種電源管理應用。其典型應用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關以及電池充電電路等便攜式電子設備中。在實際應用中，使用該MOSFET時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保其完全導通并降低導通損耗。例如，在設計一個升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器時，可以將DMN2112SN-7作為功率開關管使用，通過合理設置驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。同時要注意散熱設計，避免因過熱導致器件損壞。由于其小巧的封裝形式，在布局布線時需特別注意減小寄生電感的影響，以提高電路整體性能。

DMN2112SN-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 500mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
220pF @ 10V
功率 - 最大
500mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SC-59-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN2112SNDITR

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DMN2112SN-7-F
DMN2004DWK
DMN2004DWK-7
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DMN2004K-7-F
DMN2004TK-7
D15XB60

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