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DMN2040LTS-13

更新時間:2025-07-15 14:08:37

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DMN2040LTS-13 概述

DMN2040LTS-13是由Diodes Incorporated生產的P溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，適用于需要低導通電阻和高效率的場合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為-20V，連續(xù)漏極電流（ID）在室溫下可達-3.6A。該MOSFET非常適合用于電池供電設備、負載開關、電源管理以及便攜式電子設備中的功率控制電路。由于其低柵極電荷（Qg）特性，DMN2040LTS-13可以實現快速開關操作，從而減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，該MOSFET還具備良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現。在實際應用中，建議選擇適當的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關速度，并確保柵極電壓不超過最大額定值以避免損壞器件。在設計PCB時，應盡量減小源極與柵極之間的寄生電感，以防止振鈴現象的發(fā)生。

DMN2040LTS-13 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
26 毫歐 @ 6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
570pF @ 10V
功率 - 最大
890mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝
8-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN2040LTS-13DITR

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