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DMG9926USD-13

更新時間:2025-05-19 02:24:16

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DMG9926USD-13 概述

DMG9926USD-13是由Diodes Incorporated生產的雙N溝道MOSFET。該器件專為高效功率管理應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極電流可達5.8A，適用于負載開關、電源管理和電機驅動等應用場景。在電池供電設備中，它可以有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用包括電動工具、無人機和便攜式電子設備中的電源路徑管理。使用時應注意柵極驅動電壓的選擇，確保MOSFET完全導通。電路設計時需考慮適當的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度。

DMG9926USD-13 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
24 毫歐 @ 8.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
900mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
867pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMG9926USD-13DITR

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