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DMG4N65CTI

更新時間:2025-05-31 16:24:31

供應(yīng)商
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DMG4N65CTI 概述

DMG4N65CTI是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓為650V，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。其低導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性有助于減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。典型應(yīng)用場景包括電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和不間斷電源(UPS)等。在實際應(yīng)用中，建議采用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確?？焖匍_關(guān)，并且在PCB布局時需考慮散熱設(shè)計，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。對于高可靠性要求的應(yīng)用，應(yīng)進(jìn)行充分的測試驗證。

DMG4N65CTI 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
3 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8.35W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
ITO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片

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