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DMG2301L-7

更新時間:2025-05-22 18:47:00

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DMG2301L-7 概述

DMG2301L-7是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于便攜式設備中的電源管理應用。其最大漏源電壓為-20V，適合在低壓電路中使用。典型應用場景包括負載開關(guān)、充電電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其緊湊的封裝設計，特別適合空間受限的應用環(huán)境。在實際應用中，建議在柵極與源極之間添加適當?shù)碾娙菀源_保穩(wěn)定操作，并避免過高的電壓直接加到柵極上，防止損壞MOSFET。電路設計時應考慮合理的散熱措施，保證器件可靠運行。

DMG2301L-7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
189,985現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
120 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
476 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

DMG2301L-7推薦型號

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DMG201020R
DMG204010R
DMG2301U-7
DMG2301U-7-F
DMG2302U
DMG2302U-7
DMG2302U-7-F
DAP8A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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