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DMG1013UWQ-7

更新時間:2025-06-12 03:58:26

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DMG1013UWQ-7 概述

DMG1013UWQ-7是由Diodes Incorporated生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用超小型的SOT-323封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高密度表面貼裝應用。其最大漏源電壓為20V，適合在低壓電源管理電路中使用。典型應用場景包括負載開關、電池充電器、DC-DC轉換器以及便攜式電子設備中的功率控制。在實際應用中，建議將柵極驅動電壓設置在4.5V以上以確保完全開啟，從而獲得較低的導通電阻。設計PCB時應盡量減小柵極路徑電感，避免高頻振蕩。由于其較小的封裝尺寸，在焊接過程中需要特別注意防止過熱損壞。此外，推薦使用適當的散熱措施來提升可靠性，特別是在大電流應用場合。

DMG1013UWQ-7 規(guī)格參數

現有數量
2,775現貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
820mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
750 毫歐 @ 430mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-323
封裝/外殼
SC-70，SOT-323

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廣東微爾科技有限公司

DMG1013UWQ-7推薦型號

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DMG1012T
DMG1012T-7
DMG1012T-7-F
DMG1012TQ-7
DMG1012UW
DMG1012UW-7
DMG1013T
D882

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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