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D45H11G

更新時間:2025-07-03 19:05:19

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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D45H11G外觀圖

D45H11G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP 10A 80V TO220AB

封裝:TO-220-3

D45H11G 概述

D45H11G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用表面貼裝封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為55V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導(dǎo)通電阻僅為12.5mΩ，這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。例如，在直流-直流轉(zhuǎn)換器中，它能有效控制能量傳輸；在無刷直流電機驅(qū)動電路里，可作為功率開關(guān)元件使用。設(shè)計時需注意散熱處理，并確保柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定以避免誤觸發(fā)。對于PCB布局，建議盡量縮短源極和漏極走線長度以減小寄生電感影響。

D45H11G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
80V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大）
10µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
40MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
D45H11GOS

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