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CY14V104NA-BA45XI

更新時間:2025-07-13 03:24:37

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CY14V104NA-BA45XI 概述

CY14V104NA-BA45XI是由Cypress Semiconductor（已被Infineon收購）生產(chǎn)的高性能非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(NVSRAM)。該器件具有4Mb的存儲容量，采用先進的鐵電技術(shù)確保數(shù)據(jù)在斷電情況下依然保持完整，無需外部電池支持。其工作電壓范圍為2.7V至3.6V，適合工業(yè)和嵌入式系統(tǒng)應用。主要應用場景包括工業(yè)控制、智能儀表、通信設備以及需要高可靠性數(shù)據(jù)存儲的場合。例如，在工業(yè)自動化系統(tǒng)中用于保存關鍵運行參數(shù)；在通信基站里作為重要配置信息的備份存儲。使用時應注意遵循推薦的電源去耦電路設計以保證穩(wěn)定工作，并且在進行寫操作前確認存儲器處于就緒狀態(tài)。此外，由于NVSRAM具備快速讀寫特性，在實時數(shù)據(jù)記錄場景下可發(fā)揮優(yōu)勢。

CY14V104NA-BA45XI 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
CY14V104LA,NA
標準包裝
299
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
NVSRAM（非易失 SRAM）
存儲容量
4M (256K x 16)
速度
45ns
接口
并聯(lián)
電源電壓
3 V ~ 3.6 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商設備封裝
48-FBGA（6x10）
包裝
托盤

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廣東微爾科技有限公司

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CY14B101KA-ZS45XI
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CY14B101LA-BA25XI
C1815

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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