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CY14V101NA-BA25XI

更新時間:2025-07-06 05:31:01

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CY14V101NA-BA25XI 概述

CY14V101NA-BA25XI是Cypress Semiconductor公司（現(xiàn)已被Infineon收購）生產(chǎn)的一款非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）。該芯片具有1Mb的存儲容量，采用3V單電源供電。它結合了SRAM的高速讀寫能力和非易失性的數(shù)據(jù)存儲特性，確保在掉電情況下數(shù)據(jù)依然能夠安全保存。主要應用于需要高可靠性數(shù)據(jù)存儲的場合，如工業(yè)自動化控制系統(tǒng)、智能電網(wǎng)設備、通信基礎設施等。其工作溫度范圍寬泛，適用于惡劣環(huán)境下的電子系統(tǒng)。使用時需注意正確配置外圍電路以確保穩(wěn)定運行。例如，在設計PCB布局時應盡量縮短數(shù)據(jù)線和地址線長度以減少噪聲干擾。同時，為保證數(shù)據(jù)在異常掉電情況下的完整性，建議按照數(shù)據(jù)手冊要求合理設計掉電檢測與保護電路。

CY14V101NA-BA25XI 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
CY14V101LA,NA
標準包裝
299
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
NVSRAM（非易失 SRAM）
存儲容量
1M (64K x 16)
速度
25ns
接口
并聯(lián)
電源電壓
3 V ~ 3.6 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商設備封裝
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CY14B101KA-SP45XI
CY14B101KA-ZS25XI
CY14B101KA-ZS45XI
CJ2302

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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