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BUV22G

更新時間:2025-05-21 04:18:15

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

上海熠富電子科技有限公司
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CAN/TO3/2024
上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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專營三極管質量保證

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原裝，品質保障，可配單

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BUV22G外觀圖

BUV22G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN 250V 40A BIPO TO-3

封裝:TO-204AE

BUV22G 概述

BUV22G是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET晶體管。該器件專為高功率、高速開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，適合在高壓電路環(huán)境中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關模式電源（SMPS）及各類工業(yè)控制設備中的功率轉換電路。在實際應用中，需注意確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，通常推薦使用10到15V的柵極電壓。此外，由于其較高的額定電壓，必須采取適當?shù)纳岽胧﹣肀ＷC穩(wěn)定運行，并防止因過熱導致的性能下降或損壞。設計時應參考最新的技術文檔以獲取詳細的電氣參數(shù)與安全工作區(qū)域(SOA)信息。

BUV22G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
100
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
SWITCHMODE™
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
40A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
250V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 2.5A，20A
電流 - 集電極截止（最大）
3mA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
20 @ 10A，4V
功率 - 最大
250W
頻率 - 轉換
8MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-204AE
供應商設備封裝
TO-3
包裝
托盤
其它名稱
BUV22G-NDBUV22GOSOS

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