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BUL1203EFP

更新時間:2025-05-20 14:46:43

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STMicroelectronics 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN HV FAST 550V TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

BUL1203EFP 概述

BUL1203EFP是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為30V，適合用于低壓直流電路中。典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉換器以及負載開關等需要高效能MOSFET的場合。在便攜式設備和消費電子產品中，這款MOSFET可以有效提高系統(tǒng)效率并減小熱損耗。使用時應注意適當的柵極驅動設計以確保最佳性能。建議在柵極串聯(lián)小阻值電阻來抑制振蕩，并在源極與驅動回路之間保持較短的布線以減少寄生電感影響。在PCB布局時應考慮良好的散熱設計，以充分發(fā)揮其電氣性能。

BUL1203EFP 規(guī)格參數

其它有關文件
BUL1203EFP View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
550V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 1A，3A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
9 @ 2A，5V
功率 - 最大
36W
頻率 - 轉換
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220-3
包裝
管件

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