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BU808DFI

更新時間:2025-05-17 14:53:50

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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BU808DFI外觀圖

BU808DFI

STMicroelectronics 晶體管(BJT) - 單路

IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

封裝:ISOWATT-218-3

BU808DFI 概述

BU808DFI是羅姆半導體(ROHM)生產(chǎn)的一款高性能功率晶體管，采用DMOS結構。該器件專為開關電源、DC-DC轉換器等高頻開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其主要特點包括高耐壓能力（最大額定電壓可達800V），適用于家電、工業(yè)設備等需要高壓處理的場合。內置的高速二極管有助于減少外部元件數(shù)量，簡化電路設計。此外，它還具備優(yōu)秀的溫度特性，確保在寬溫度范圍內的穩(wěn)定運行。典型應用場景包括： 1. 開關電源 2. 電機驅動控制 3. 家用電器中的電源管理 4. 工業(yè)自動化設備使用建議：在實際應用中，應注意散熱設計，確保工作溫度不超過最大允許值。建議根據(jù)具體需求選擇適當?shù)臇艠O電阻值以優(yōu)化開關速度。對于大電流應用，需考慮并聯(lián)多個器件，并做好均流措施。

BU808DFI 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
300
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN - 達林頓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
8A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
700V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.6V @ 500mA，5A
電流 - 集電極截止（最大）
400µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
60 @ 5A，5V
功率 - 最大
52W
頻率 - 轉換
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOWATT-218-3
供應商設備封裝
ISOWATT-218
包裝
管件

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