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BSZ160N10NS3G

更新時間:2025-05-22 03:02:56

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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BSZ160N10NS3G 概述

BSZ160N10NS3G是一款由英飛凌科技生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率特性，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓(VDS)為100V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達160A，適合于要求嚴格熱性能和電氣性能的應用場景。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動、負載開關以及電源管理電路中。由于其出色的開關性能和低柵極電荷，有助于降低開關損耗并提高整體系統效率，在工業(yè)自動化、汽車電子以及消費類電子產品領域得到廣泛應用。使用時需注意保證良好的散熱設計以確保穩(wěn)定運行。

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BSZ160N10NS3G
BSZ100N03L
BSZ100N03LS
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BSZ100N06L
BAT54S

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