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BSZ0901NSI

更新時間:2025-07-03 16:38:23

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BSZ0901NSI 概述

BSZ0901NSI是一款由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率管理應用。此MOSFET常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電池充電器以及需要高效功率控制的便攜式設備中。其典型應用場景包括智能手機、平板電腦和其他消費電子產(chǎn)品。在電路設計中，它能有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)。此外，在布局PCB時應盡量減小源極和漏極之間的引線電感，從而減少開關(guān)噪聲。

BSZ0901NSI 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSZ0901NSI
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.1 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2600pF @ 15V
功率 - 最大
69W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSZ0901NSITRSP000853566

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廣東微爾科技有限公司

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