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BSV52LT1G

更新時間:2025-07-03 16:28:50

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

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BSV52LT1G外觀圖

BSV52LT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN 12V 100MA SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BSV52LT1G 概述

BSV52LT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款小信號N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于高頻開關(guān)應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達0.9A，適用于各種功率管理電路中。在實際應用中，BSV52LT1G常被用作DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管或者負載開關(guān)。例如，在便攜式設(shè)備電源管理系統(tǒng)中，可用于延長電池壽命并提高效率。設(shè)計時需注意柵極驅(qū)動電壓應保證足夠高以確保完全導通，通常推薦使用至少4.5V的驅(qū)動電壓。此外，由于其封裝尺寸較小，散熱性能有限，在大電流應用時需考慮適當?shù)纳岽胧┗蚪档驼伎毡取?

BSV52LT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
12V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
400mV @ 5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 10mA，1V
功率 - 最大
225mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
400MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR

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