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BSS7728NH6327XTSA1

更新時間:2025-05-16 16:18:52

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BSS7728NH6327XTSA1 概述

BSS7728NH6327XTSA1是英飛凌（Infineon）生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的硅技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其封裝形式為SOT-223，便于在緊湊設計中實現良好的散熱性能。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載點（POL）穩(wěn)壓器、電池充電器以及各種需要高效電源管理的消費電子設備中。例如，在筆記本電腦或智能手機的電源管理系統(tǒng)中，這款MOSFET可以有效提高能源利用效率，延長電池使用時間；在LED照明驅動電路里，它能夠提供穩(wěn)定且高效的電流控制，確保光輸出的一致性和可靠性。在實際應用時應注意，由于其柵極電壓敏感性，設計電路時需保證柵極驅動信號質量以避免誤觸發(fā)。此外，在進行PCB布局時應盡量縮短源極與柵極之間的走線長度，并增加適當的去耦電容以減少噪聲干擾，從而確保最佳的工作性能。同時，考慮到熱設計要求，建議合理安排散熱路徑或增加散熱片，特別是在高功率密度應用場合下，以維持器件長期可靠運行。

BSS7728NH6327XTSA1 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
SIPMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 26μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
56 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

芯知識

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