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BSS138LT1G

更新時間:2025-07-05 23:49:05

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BSS138LT1G外觀圖

BSS138LT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BSS138LT1G 概述

BSS138LT1G是安森美半導體生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為50V，在柵極驅動電壓為4.5V時，連續(xù)漏電流可達170mA。這款MOSFET常用于信號切換、負載開關以及模擬開關等應用場景。在電池供電設備中，由于其低功耗特點而被廣泛應用。例如在傳感器接口電路中，可用于控制信號的通斷。在實際應用時，需注意其最大工作電壓和電流不能超過額定值，且應確保柵極驅動電壓足夠以保證可靠導通。設計PCB布局時，盡量縮短源極到地的距離以減少寄生電感影響。

BSS138LT1G 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 歐姆 @ 200mA，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
225mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSS138LT1GOSTR

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