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BSM75GAL120DN2

更新時間:2025-07-13 22:56:56

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BSM75GAL120DN2 概述

BSM75GAL120DN2是英飛凌科技公司生產(chǎn)的IGBT模塊，專為工業(yè)驅(qū)動應用設計。該模塊采用TRENCHSTOP IGBT技術，具有低導通損耗和開關損耗特性，有助于提升系統(tǒng)效率。其額定電壓為1200V，額定電流達到75A，適用于中等功率的電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）以及逆變焊機等領域。在電機驅(qū)動應用中，可以確保高效穩(wěn)定的運行，并且其緊湊的設計便于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。使用時需注意散熱設計以保證模塊穩(wěn)定工作，推薦配合合適的散熱器和冷卻系統(tǒng)。電路設計上應合理布局以減少寄生電感影響，提高整體性能。

BSM75GAL120DN2 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge Module
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
105 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
625 W
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
Half Bridge GAL 1
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
安裝風格
Screw
工廠包裝數(shù)量
500

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BSM75GAL120DN2
BSM75GB100D
BSM75GB120D
BSM75GB120DLC
BSM75GB120DN2
BSM75GB120DN2 E3223
BSM75GB120DN2(CH100)
BC857C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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