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BSM150GT120DN2

更新時間:2025-05-28 19:16:25

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深圳市誠研翔科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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1300
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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8000
INFINEON
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原裝進口可開票

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BSM150GT120DN2 概述

BSM150GT120DN2是由英飛凌（Infineon）公司生產的碳化硅（SiC）功率模塊。此模塊專為高效率電力轉換系統(tǒng)設計，具備低開關損耗和高工作溫度優(yōu)勢。它適用于如工業(yè)驅動、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器及電動汽車等需要高效能電力轉換的應用場景。該模塊采用三相全橋拓撲結構，包含六個碳化硅MOSFET器件，最大集電極 - 發(fā)射極電壓為1.2kV，額定電流可達150A。在實際應用中，由于其快速的開關速度，需特別注意PCB布局以減少寄生電感影響。此外，在電路設計時應合理選擇柵極電阻值，避免過快的開關速度導致電磁干擾問題。對于散熱管理，推薦使用高效的散熱器或液冷系統(tǒng)以確保穩(wěn)定運行。

BSM150GT120DN2 規(guī)格參數

制造商
Infineon
產品種類
IGBT 模塊
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
200 A
柵極—射極漏泄電流
320 nA
功率耗散
1.25 KW
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
EconoPACK 3A
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
安裝風格
Screw
工廠包裝數量
10

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BSM100GB120
BSM100GB120D
BAV199

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