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BSM100GB170DN2

更新時間:2025-05-25 21:23:08

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上海凱昂電子技術(shù)有限公司
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深圳市創(chuàng)升揚電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

北京固力通達機電設(shè)備有限公司
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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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BSM100GB170DN2 概述

BSM100GB170DN2是由ROHM（羅姆）半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅（SiC）功率模塊。該模塊設(shè)計用于高效電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有高耐壓和低損耗特性。其額定電壓為1700V，適用于工業(yè)驅(qū)動、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）及電動汽車充電系統(tǒng)等高壓大功率場景。內(nèi)部集成多個碳化硅MOSFET和二極管，優(yōu)化了開關(guān)性能與熱管理。使用時應(yīng)注意散熱設(shè)計以確保模塊穩(wěn)定工作，推薦采用高效的散熱器或液冷系統(tǒng)。在電路設(shè)計中，需考慮合適的門極驅(qū)動電壓與保護電路，防止過壓損壞。

BSM100GB170DN2 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge Module
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1700 V
集電極—射極飽和電壓
3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
145 A
柵極—射極漏泄電流
320 nA
功率耗散
1 KW
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
Half Bridge2
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
安裝風格
Screw
工廠包裝數(shù)量
500

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BSM100GB120D
BSS84

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