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BSH205G2AR

更新時間:2025-06-10 07:06:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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BSH205G2AR 概述

BSH205G2AR是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效的功率轉換應用。此MOSFET在DC-DC轉換器、負載開關以及電池供電設備中表現(xiàn)出色。其低柵極電荷使得它非常適合用于高頻開關電源設計。此外，由于其緊湊的封裝尺寸，在空間受限的應用中也十分適用。在使用BSH205G2AR時需要注意確保柵極驅動電壓足夠高以實現(xiàn)最低的導通電阻。建議在柵極串聯(lián)一個小電阻來限制開關瞬間的電流尖峰。在電路設計時應考慮適當?shù)纳岽胧┮员ＷC穩(wěn)定工作溫度，特別是在大電流應用場合下。如果是在高頻應用中，還需要關注PCB布局，盡量縮短源極到柵極走線的距離，減少寄生電感的影響。

BSH205G2AR 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
4,920現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
118 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
421 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
610mW（Ta），10W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-236AB
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

BSH205G2AR推薦型號

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BSH201
BSH201,215
BSH201.215
BSH201215
BSH202
BSH202,215
BSH203
BCX53

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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