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BSC252N10NSFGATMA1

更新時間:2025-06-09 13:07:35

供應(yīng)商
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深圳市正納電子有限公司
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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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成都恒昌芯業(yè)科技有限公司
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BSC252N10NSFGATMA1 概述

BSC252N10NSFGATMA1是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的OptiMOS技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為PG-TO252-3-5，適合表面貼裝工藝。這種MOSFET廣泛應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)以及電機驅(qū)動電路中。在實際應(yīng)用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻（如10歐姆）以抑制振蕩，并確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以完全開啟MOSFET。在設(shè)計電路時，需注意最大漏源電壓不要超過額定值100V，同時要考慮散熱設(shè)計，保證器件工作溫度在其允許范圍內(nèi)。對于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合，此款MOSFET是理想選擇。

BSC252N10NSFGATMA1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
7,375現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7.2A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
25.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 43μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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