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BSC160N10NS3 G

更新時間:2025-05-22 07:17:10

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BSC160N10NS3 G 概述

BSC160N10NS3 G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。它采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、同步整流以及電信和服務器電源等需要高性能開關(guān)的場合。該器件的最大漏源電壓（VDS）為100V，典型應用包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)等。在電路設計中應注意其散熱設計以確保穩(wěn)定工作，并且根據(jù)具體的應用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻值來優(yōu)化開關(guān)速度與EMI性能。

BSC160N10NS3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC160N10NS3 G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
42A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 33µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 50V
功率 - 最大
60W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC160N10NS3 G-NDSP000482382

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