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BSC159N10LSF G

更新時間:2025-05-27 01:13:19

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳誠思涵科技有限公司
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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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深圳市博偉奇電子有限公司
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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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BSC159N10LSF G 概述

BSC159N10LSF G是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的OptiMOS技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為100V，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及不間斷電源系統(tǒng)等。在實際應用中，建議使用該MOSFET時注意其最大功耗限制，確保散熱設(shè)計合理以維持長期穩(wěn)定工作。電路設(shè)計方面，推薦采用標準的柵極驅(qū)動電路，并且要保證柵極信號的完整性，避免誤觸發(fā)。由于其低Rds(on)，非常適合用于高效率要求的應用場合，例如電動車充電器和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器。在布局PCB時，盡量縮短源極與漏極之間的走線長度，減少寄生電感影響。

BSC159N10LSF G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC159N10LSF G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
63A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15.9 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 72µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 50V
功率 - 最大
114W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設(shè)備封裝
PG-TDSON-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC159N10LSF G-NDSP000379614

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