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BSC100N06LS3 G

更新時間:2025-06-25 11:11:53

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

惠州市利灣智能科技有限責任公
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深圳市科鑫美電子有限公司
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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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深圳市華普冠科電子科技有限公
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代理渠道可排單訂貨

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BSC100N06LS3 G 概述

BSC100N06LS3 G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為60V，適合于中低壓應用環(huán)境。典型應用場景包括電動工具、電機控制、電源管理和電池供電設備等。在電機控制應用中，可將其用于H橋或半H橋電路中實現(xiàn)電機的正反轉(zhuǎn)控制及速度調(diào)節(jié)。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要足夠高以確保MOSFET完全導通，減少導通損耗。在電源管理電路里，可以作為同步整流管來提高轉(zhuǎn)換效率。設計PCB時應盡量減小源極和漏極之間的引線電感以避免開關過程中的電壓尖峰。

BSC100N06LS3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC100N06LS3 GBSC100N06LS3 G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 23µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3500pF @ 30V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC100N06LS3 G-NDBSC100N06LS3 GTRSP000453664

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