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BSC0902NSATMA1

更新時間:2025-06-14 10:08:03

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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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原裝有現(xiàn)貨 QQ420045561 VX

昂富（深圳）電子科技有限公司
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20223
INFINEON/英飛凌
PGTDSON8/25+
軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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BSC0902NSATMA1 概述

BSC0902NSATMA1是英飛凌科技公司生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于高頻開關電源、同步整流器和其他需要高效功率轉換的應用。其優(yōu)化的柵極電荷使得在快速開關應用中能減少開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。該器件在DC-DC轉換器、適配器以及LED照明驅動等場景下表現(xiàn)出色。使用時應注意遵循推薦的PCB布局指南以確保最佳熱性能，并且在設計電路時應考慮適當?shù)臇艠O驅動電路，避免因過高的dv/dt導致誤觸發(fā)。在選擇并聯(lián)多個MOSFET時要確保電流均衡，防止局部過熱。

BSC0902NSATMA1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
14,805現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.6 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），48W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-6
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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