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BSC0901NSATMA1

更新時間:2025-05-22 21:30:27

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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只做原裝合作一次終身受益

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BSC0901NSATMA1 概述

BSC0901NSATMA1是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用S3O8封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點（POL）穩(wěn)壓器以及電池供電設備中的電源管理應用。其優(yōu)化的柵極電荷使得在高頻開關應用中能夠?qū)崿F(xiàn)更低的開關損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。在設計電路時，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，并且在PCB布局上盡量減小寄生電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。典型的應用電路包括同步降壓轉(zhuǎn)換器，在這種電路中，它通常與另一個MOSFET配對使用，共同完成能量傳輸任務。

BSC0901NSATMA1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
33,178現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
28A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2800 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-5
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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