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BSC032NE2LS

更新時間:2025-06-10 16:20:48

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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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只做原裝，假一罰十

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深圳市芯福林電子科技有限公司
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67
INFINEON/英飛凌
2021+/QFN8
只做原裝現(xiàn)貨假一罰十

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BSC032NE2LS 概述

BSC032NE2LS是一款由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道MOSFET，采用SMD封裝形式。它專為高效功率轉(zhuǎn)換應用設計，具有低導通電阻和低柵極電荷特性。這使得該MOSFET在開關電源、同步整流以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效率和快速切換速度的場合中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為25V，適合于低壓系統(tǒng)。由于具備優(yōu)秀的熱性能與電氣特性，BSC032NE2LS能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)整體效率，在電池供電設備和便攜式電子產(chǎn)品中應用廣泛。使用時需注意驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)。在電路設計中，合理布局走線減少寄生電感影響也是關鍵點之一。

BSC032NE2LS 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC032NE2LS
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
84A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.2 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 12V
功率 - 最大
37W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC032NE2LS-NDBSC032NE2LSATMA1SP000854378

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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