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BSC030N03MS G

更新時間:2025-07-13 04:23:34

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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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BSC030N03MS G 概述

BSC030N03MS G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用先進的TrenchFET技術(shù)，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。這款MOSFET專為需要高效率和緊湊設計的應用而設計，如同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器等。在電源管理電路中，它可以顯著降低功耗并提高系統(tǒng)整體效率。由于其優(yōu)化的柵極電荷特性，該器件非常適合高頻開關應用，有助于減少外部元件數(shù)量和電路板空間。使用時需注意遵循推薦的驅(qū)動電壓范圍以確保最佳性能，并且在PCB布局時應盡量減小源極電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。在實際設計中，可以將其與控制IC配合使用來構(gòu)建完整的降壓或升壓轉(zhuǎn)換電路。

BSC030N03MS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC030N03MS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
73nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5700pF @ 15V
功率 - 最大
69W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC030N03MSGBSC030N03MSG+F30BSC030N03MSG+F30INTRBSC030N03MSG+F30INTR-NDBSC030N03MSGINTRBSC030N03MSGXTSP000311506

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