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BSC019N04NS G

更新時間:2025-07-20 12:29:12

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深圳市納睿斯電子科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單服務(wù)

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BSC019N04NS G 概述

BSC019N04NS G是英飛凌科技生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率特性。其設(shè)計適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點電源(POL)以及電池供電設(shè)備中的電源管理電路。在服務(wù)器、通信基站等高性能計算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，這款MOSFET能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應(yīng)注意遵循正確的驅(qū)動電壓范圍以確保最佳性能，并且在PCB布局上要充分考慮散熱設(shè)計以維持長期穩(wěn)定工作。對于高頻應(yīng)用，合理選擇柵極電阻值有助于優(yōu)化開關(guān)特性。

BSC019N04NS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC019N04NS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.9 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 85µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
108nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8800pF @ 20V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000388299

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