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BSC017N04NS G

更新時間:2025-07-04 10:05:15

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深圳市誠研翔科技有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

深圳市萊克訊科技有限公司
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QFN/1903+
原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

藍界科技（深圳）有限公司
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原廠原裝代理直銷/代理渠道價格優(yōu)勢

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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市金華微盛電子有限公司
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BSC017N04NS G 概述

BSC017N04NS G是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的SuperSO8封裝，具有極低的導通電阻和柵極電荷，優(yōu)化用于高效功率轉換應用。其典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉換器以及電池供電設備等。在同步整流電路中使用時，建議將該MOSFET放置在靠近負載的位置以減少線路損耗。由于其低柵極電荷特性，在驅(qū)動電路設計上可以選用較小的驅(qū)動電流。需要注意的是，在PCB布局時要確保散熱路徑良好，以充分發(fā)揮其低導通電阻的優(yōu)勢。此外，為保證可靠工作，柵極電壓應控制在其額定范圍內(nèi)，避免過壓損壞柵極氧化層。

BSC017N04NS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC017N04NS GBSC017N04NS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.7 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 85µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
108nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8800pF @ 20V
功率 - 最大
139W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC017N04NS G-NDBSC017N04NS GTRSP000394684

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