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AUIRFR5505TR

更新時間:2025-05-16 06:48:06

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現貨原盒原包

深圳市芯齊壹科技有限公司
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30000
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官網可查icscjh.com

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6500
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只做原裝現貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

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終端可免費供樣,支持BOM配單

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全新原裝現貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

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英特翎科技原裝

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只做原裝實單必成假一罰十

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原裝認證有意請來電或QQ洽談

安富微（深圳）商貿有限公司
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AUIRFR5505TR外觀圖

AUIRFR5505TR

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

AUIRFR5505TR 概述

AUIRFR5505TR是由Infineon Technologies生產的N溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝。該器件專為汽車應用設計，符合AEC-Q101標準，具備高可靠性。其低導通電阻和快速開關特性使其在電源管理電路中表現出色。典型應用場景包括車身控制模塊、電動助力轉向系統(tǒng)及各類車載充電器。在實際應用中，建議將柵極驅動電壓設置在10V以確保最低的導通電阻。由于其最大漏源電壓可達40V，適用于多數12V和24V汽車電氣系統(tǒng)。設計時需注意PCB布局，以減小寄生電感對開關性能的影響。對于熱設計，推薦使用適當的散熱措施或增大銅箔面積來改善散熱效果。

AUIRFR5505TR 規(guī)格參數

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
110 毫歐 @ 9.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 25V
功率 - 最大
57W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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