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AUIRFB8407

更新時間:2025-05-18 10:12:22

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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英特翎科技原裝

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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

北京睿宸齊芯科技有限公司
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-
TO220/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產替代

深圳市金燦利電子科技有限公司
AUIRFB8407
128000
IR
TO220/23+
全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

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AUIRFB8407 概述

AUIRFB8407是由Infineon Technologies生產的N溝道功率MOSFET，專為高性能開關應用設計。該器件采用先進的硅技術，具有低導通電阻和快速開關特性，在提高效率的同時減少功率損耗。其最大漏源電壓（Vds）為100V，適用于直流-直流轉換器、電機驅動以及電源管理等應用場合。在汽車電子領域，AUIRFB8407常用于電動助力轉向等高可靠性要求的環(huán)境中。由于其具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力，也可廣泛應用于工業(yè)自動化設備中。使用時應注意確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全開啟，并且布局上盡量縮短源極與地之間的連線長度以減小寄生電感的影響。在實際電路設計時，可參考Infineon提供的官方參考設計來優(yōu)化性能。

AUIRFB8407 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
HEXFET?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
195A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
230W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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AUIR3313
AAMI

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