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APT1003RSLLG

更新時間:2025-06-12 03:12:20

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現有數量
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系列
POWER MOS 7?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
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N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
694 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D3 [S]
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

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