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AP3612MTR-G1

更新時間:2025-05-19 18:27:53

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AP3612MTR-G1 概述

AP3612MTR-G1是Diodes Incorporated公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其封裝形式為SOP-8，適合緊湊型電路設計需求。典型應用包括直流-直流轉換器、負載開關以及電源管理模塊中。在實際應用中，AP3612MTR-G1常用于需要高效能電源管理的場合，如智能手機和平板電腦等便攜式設備。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容，有助于減少開關損耗并提高整體效率。使用時應注意柵極驅動電壓的選擇，確保完全開啟MOSFET以降低導通電阻。對于初次使用的工程師來說，建議仔細閱讀產品手冊中的電氣特性部分，以便合理設計外圍電路。此外，在進行PCB布局時，盡量縮短源極與漏極之間的走線長度，減少寄生電感對性能的影響。

AP3612MTR-G1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
類型
DC DC 控制器
拓撲
升壓
內部開關
無
輸出數(shù)
12
電壓 - 供電（最低）
4.5V
電壓 -?供電（最高）
33V
電壓 - 輸出
-
電流 - 輸出/通道
75mA
頻率
100kHz ~ 1MHz
調光
PWM
應用
背光
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
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AP3602A
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AP3606FNTR-G1
AP3607FNTR-G1
AP3608E
AT24C02

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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