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AONR62818

更新時間:2025-05-23 23:07:21

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AONR62818 概述

AONR62818是由Alpha and Omega Semiconductor公司生產的P溝道MOSFET。它采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓Vds為-30V，在Vgs=-4.5V時的導通電阻典型值僅為10mΩ，適合于需要高效功率轉換的應用場景。其主要應用包括負載開關、電源管理以及便攜式設備中的電池保護電路。在筆記本電腦、智能手機和平板電腦等消費電子產品中廣泛使用。由于其封裝形式為小巧的DFN2x2封裝，非常適合空間受限的設計。在實際應用中，設計者應注意保證柵極驅動電壓足夠以實現最低的導通電阻，并且注意散熱設計以確?？煽抗ぷ鳌?

AONR62818 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
AlphaSGT?
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A（Ta），50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6.6 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2420 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.1W（Ta），54W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-DFN-EP（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerWDFN

芯知識

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