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AON7522E

更新時間:2025-07-06 12:07:45

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AON7522E 概述

AON7522E是Alpha and Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為30V，適合在低壓高頻應用中使用。典型應用場景包括電源管理、負載開關、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電設備中的功率控制。在實際應用中，建議將其用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合，如便攜式電子設備和消費類電子產(chǎn)品。由于其封裝小巧（DFN3x3），特別適合對PCB空間要求較高的設計。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要足夠高以確保MOSFET完全開啟，并且在電路布局上盡量減小寄生電感的影響，避免產(chǎn)生振蕩。對于新手工程師而言，在進行PCB布線時應遵循制造商提供的推薦布局指南，以優(yōu)化性能并減少電磁干擾。

AON7522E 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
98,157現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
21A（Ta），34A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1540 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），31W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-DFN-EP（3x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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AON7200
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AON7212L
AON7220
AT24C32

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