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AOD7N65

更新時間:2025-07-06 16:22:40

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AOD7N65 概述

7N65是Alpha & Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的功率MOS工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為650V，適合在高壓應用中使用。典型應用場景包括開關電源、適配器、LED驅(qū)動器以及工業(yè)控制設備中的電源管理電路。在實際應用中，AOD7N65可用于設計高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC整流電路。由于其較低的導通損耗和開關損耗，能夠有效提升系統(tǒng)效率。使用時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保柵極驅(qū)動電壓在規(guī)定范圍內(nèi)。此外，在布局PCB時應盡量減小源極引腳的寄生電感，以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

AOD7N65 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
4,677現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.56 歐姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
178W（Tc）
工作溫度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252（DPAK）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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